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三電平高壓變頻器

#questionContent pre{word-break: break-all;white-space: normal;} 基本概括: 問提問者：網友 | 2018-07-28

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介紹了西門子采用三電平高壓IGBT開發(fā)的中壓變頻器SIMOVERTMV、有源前端技術及應用。關鍵詞：高壓三電平有源前端 1、前言電力電子技術、微電子技術與控制理論的結合，有力地促進了交流變頻調速技術的發(fā)展。近年來，具有驅動電路和保護功能的智能IGBT的應用使得變頻器結構更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、驅動簡單、保護容易、不用緩沖電路和開關頻率高等特點，鑒于此，開發(fā)高電壓、大電流、頻率高的高壓IGBT并將其應用到變頻調速器中以獲得輸出電壓等級更高的裝置成為人們關注的焦點。中壓變頻器的研發(fā)與電力電子器件如高壓IGBT、GTO、IGCT等器件研制水平和應用水平密切相關，隨著高電壓、大電流IGBT的面世，給中壓變頻器注入了新的活力，德國西門子公司采用高壓IGBT(600A～1200A/3300V～6500V)、三電平技術開發(fā)的SIMOVERTMV系列中壓變頻器已在國內廣泛用于有色、冶金、電力、建材、自來水、石油化工等行業(yè)并得到用戶的認可，本文就第四代IGBT的優(yōu)異性能，與GTO、IGCT等電力電子器件進行了比較，結合MV系列中壓變頻器的特點論述了采用三電平技術獲得優(yōu)良的輸出電壓特性，采用模塊化技術以適應各種負載的需求，介紹了三電平有源前端（AFE）技術提供的四象限傳動方案，并提供眾多應用選型實例說明中壓變頻器的方案選擇與應用效果。 2 中壓變頻器用電力電子器件的比較電力電子器件的發(fā)展經歷了晶閘管(SCR)、可關斷晶閘管(GTO)、大功率晶體管(GTR)、絕緣柵晶體管(IGBT)等階段，目前，常壓變頻器基本上采用IGBT組成逆變電路，中壓變頻器中由于電路結構的不同，交—直—交變頻器中逆變電路基本上由高壓IGBT、GTO、IGCT等組成，單元串聯(lián)多電平變頻器和中—低—中變頻器型多采用低壓IGBT構成。 20世紀80年代可關斷晶閘管GTO的商品化促進了交流調速技術的發(fā)展，與SCR相比其屬于自關斷器件，由于取消了強迫換流電路，簡化了在交流電力機車中大量采用的逆變器電路，目前GTO的容量為6000A/6000V，在電力機車調速中大多采用（3000～4000）A/4500V，中壓變頻器功率范圍多在（300～3500）kW以內，屬于較小的功率范圍。GTO開關頻率較低，需要結構復雜的緩沖電路和門極觸發(fā)電路，用門極負電流脈沖關斷GTO，其值接近其陽極電流的1/3，如關斷3000A/4000V的GTO: 回答者：網友

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